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GD-OES分析において、熱電導性の低いサンプルや熱ダメージに弱いサンプルに対して、堀場製作所の特許であるパルススパッタリングは良好な測定結果が得られます。ここでは、ステンレス基板上のゴム皮膜を通常スパッタ法とパルススパッタ法で測定した結果を示します。


高周波法を用いたGD-OES法では、非導電性の材料でも、迅速に深さ方向元素分析を行うことができます。ここでは、モバイルPC用ガラス基板ハードディスクの分析事例をご紹介します。


Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。


GD-OES分析は、水素HからウランUまで、HやLiなどの軽元素含む幅広い元素が測れることが特長的でありますが、軽水素Hの発光線である121.567nmの近傍の121.534nmに重水素Dの発光線があることは知られていません。


GD-OES法は、水素Hを分析することができるというユニークな特長を有しています。


rf-GD-OESは原子発光を応用した分光分析法のため、水素Hなどの軽元素の分析を行うことができます。


高周波(Radio-Frequency)方式を用いたGD-OES法では、非導電性の皮膜でも問題なく、深さ方向分析を行うことができます。


  • アルマイトのポーラスな層をCu・Niで封込処理した試料を、EPMAとJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

  • Al基板を陽極酸化させ、表層から35nm付近に7nmのCr濃縮層を形成させた図1のような試料を、二次イオン質量分析装置(SIMS)とJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

  • ステンレス 304上に形成された2nm程度の自然酸化皮膜をSIMSとrf-GDOESで比較測定してみました。