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Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。


図1にある断面TEM像のような、Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。


GD-OES分析は、水素HからウランUまで、HやLiなどの軽元素含む幅広い元素が測れることが特長的でありますが、軽水素Hの発光線である121.567nmの近傍の121.534nmに重水素Dの発光線があることは知られていません。


従来パルス測定時に必要であった条件探索のための“試し測定”が不要になり、パルス測定が非常に簡単・便利になりました。


高周波(Radio-Frequency)方式を用いたGD-OES法では、非導電性の皮膜でも問題なく、深さ方向分析を行うことができます。


  • Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。

  • Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

  • ステンレス 304上に形成された2nm程度の自然酸化皮膜をSIMSとrf-GDOESで比較測定してみました。

GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることができる迅速表面分析法です。よって、短時間で分析・解析することができます。


GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることが出来ます。これは、分析時のスパッタリング速度が約1~10μmという高速であるためです。


GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることができる迅速表面分析法です。しかし、100μm程度が一般的に分析できる深さの限界と言われています。


GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることが出来ます。GD-OES法のこの最も大きな特長である迅速分析手法を活用し、メッキの欠陥解析を行った事例をご紹介します。


  • GD-OES法では、高周波を採用しているため、非導電性試料でも問題なくスパッタ・測定することができますが、試料によっては、スパッタ時のダメージで図2のように、試料が損傷したりする場合があります。

  • GD-OES法はスパッタ時に試料に与えるエネルギーが約50eVと小さく、スパッタによる試料のミキシングが少ないため、最表面における高分解能な測定が可能です。ここでは、GD-OESによる最表面分析事例をご紹介するため、基板表面に単分子膜が形成される試料で測定を試みました。

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