深さ方向元素分布分析


GD-OESによる化合物半導体薄膜の元素分析

中間層のAlGaAs成膜時のAl濃度を変化させた場合の元素分布を比較しました。 原子比において、数%以上の違いを捉えています。また、測定時間が2secと非常に短時間で評価することができました。


試料表面元素分析


GD-OESによるGaN表面の軽元素分布分析

GaN表面付近のAl、H、Oの量の違いがあることがわずか30秒で判明しました。 マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置なら、μm / min オーダのスパッタリングレートにて、試料表面から深さ方向の元素分析が可能です。


マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置 GD-Profiler2

迅速かつ簡単に深さ方向の元素分布を評価
H~Uまで検出可能
化合物半導体薄膜の研究開発・生産技術・品質管理の分野で幅広く活用

マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置(GDS) GD-Profiler2

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