材料  ~GD-OESアプリケーション~

軸受鋼のコーティング材の深さ方向元素分析 
高炭素クロム軸受鋼のモリブデンコーティングを、広い面積で添加物の元素分析が0.1%程度の濃度域まで可能です。

迅速分析例:熱処理部品[1]
GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることが出来ます。これは、分析時のスパッタリング速度が約1~10μmという高速であるためです。

迅速分析例:熱処理部品[2]
GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることができる迅速表面分析法です。しかし、100μm程度が一般的に分析できる深さの限界と言われています。

迅速分析例:界面における拡散解析
GD-OES法は、一般的に数分、速い時は数秒という測定スピードで分析を完了させることができる迅速表面分析法です。よって、短時間で分析・解析することができます。

迅速分析例:自動車用ボディーの分析例
高周波(Radio-Frequency)方式を用いたGD-OES法では、非導電性の皮膜でも問題なく、深さ方向分析を行うことができます。

バルク分析法としての活用例
昨今、鉄鋼・アルミニウム・銅などの各種金属材料の入手が困難になり、成分・組成等が不明・不確かな材料が広く流通する傾向があるため、それらの成分分析(バルク分析)のために、GD-OESを活用するケースが増えてきています。

非鉄・合金

rf-GD-OESによる材料中水素評価
rf-GD-OESは原子発光を応用した分光分析法のため、水素Hなどの軽元素の分析を行うことができます。

材料中の水素の深さ方向分析 
一般的に難しい材料中における水素の分布・濃度を迅速、かつ簡単に評価可能です。

GD-OESによる重水素分析
GD-OES分析は、水素HからウランUまで、HやLiなどの軽元素含む幅広い元素が測れ ることが特長的でありますが、軽水素Hの発光線である121.567nmの近傍の121.534nmに 重水素Dの発光線があることは知られていません

Surface Cleaningによる水素測定の改善
GD-OES法は、水素Hを分析することができるというユニークな特長を有しています。

迅速な深さ方向の半定量分析 
半定量キットを用いて、簡易に半定量分析を行いました。

切削工具のコーティングの迅速深さ方向元素分析 
切削加工に用いられる超硬工具を断面出しの前処理なく、深さ方向元素分析をたった数分で行いました。

磁性材料

JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[1]>JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[1]
図1にある断面TEM像のような、Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[2]>JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[2]
Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。

TEM観察前 の迅速スクリーニング分析 
断面切出しの前処理なく、ハードディスク基板の表面分析/ 深さ方向元素分析を行い、TEMのスクリーニング分析結果と比較しました。

セラミクス・ガラス

ガラス(絶縁体)表面の深さ方向元素分析 
パルススパッタリング機能を用いて、試料の熱ダメージを緩和しながら測定を行いました。

PZT 薄膜( 絶縁体) の深さ方向元素分析 
パルススパッタリング機能を用いて、絶縁体のPZT 皮膜を分析した事例を紹介します。

非導電性試料測定例:ガラス基板上薄膜[1]
高周波法を用いたGD-OES法では、非導電性の材料でも、迅速に深さ方向元素分析を行うことができます。ここでは、モバイルPC用ガラス基板ハードディスクの分析事例をご紹介します。