マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置(GDS) GD-Profiler2

rf-GD-OES(GDS)分析装置は、Arプラズマにより試料をスパッタリングさせ、スパッタされた原子を原子発光させることで、元素分析を行う、迅速かつ簡単な表面分析装置・深さ方向元素分析装置として、薄膜・めっき・熱処理・表面処理・コーティングなどの研究開発・生産技術・品質管理の分野において、幅広く活用されています。高周波方式グロー放電を採用しているため、非導電性試料でも表面分析が可能です。

The new Plasma Profiling TOFMS

The new Plasma Profiling TOFMS addresses the needs of materials scientists across a wide range of application areas. PP-TOFMS provides fast elemental depth distribution of almost any material.


関連オプション


トランスファーベッセル

大気遮断チャンバー(トランスファーベッセル)は、試料を大気から隔離してGD-OES分析を行う際に使用します。大気との遮断部分は、Oリング・逆止弁付バルブ・スライド式窓などから構成されています。

非平面治具

試料の表面が平面でない曲面形状などの試料を測定する際に使用します。

半定量キット

半定量キットとは、多種の元素に対する標準試料キットおよびプログラムです。ある程度の精度であれば、容易に深さ方向定量分析(Depth profile)が得られます。

Dip(Differential Interferometry Profiling)
差動干渉プロファイリング機構

層の厚さ、スパッタ速度とクレーターの深さをスパッタリングしながら同時測定できる画期的な機能です。定量分析しなくても、定量分析後に、深さ換算ができます。



関連アプリケーションノート


非平面形状試料の測定
従来、GD-OES 分析は、平面形状の試料を対象に分析することが一般的で、開発段階の平板のテストピースを測定することが前提となっていました。しかし、ネジやベアリング、切削工具など、非平面形状の実際の完成品を測定したいというご要望が高まっています。 

デジタルマッチング制御式高周波電源
従来パルス測定時に必要であった条件探索のための“試し測定”が不要になり、パルス測定が非常に簡単・便利になりました。