半導体 　～アプリケーションノートダウンロード～

パワーデバイス向けSiCウェハの非破壊評価光分析技術を用いたマイクロ～ナノスケールの欠陥検出
SiCウェハの非破壊評価光分析としてフォトルミネッセンス（PL）寿命測定ではキャリア寿命に関して有効なデータが得られました。さらに、CL像により検出された欠陥周辺の応力分布をラマン分光により評価できることを示しました。

 　応力分布・結晶性評価・結晶性方位・高速マッピング
　　　応力測定、結晶性の解析、高速マッピング等のアプリケーション例の紹介します。